上一節(jié)討論的2級(jí)結(jié)構(gòu)OP放大器的輸出級(jí)是源極接地電路?，F(xiàn)在討論這種2級(jí)結(jié)構(gòu)OP放大器的輸出級(jí)驅(qū)動(dòng)負(fù)載電阻的情況。
如圖9.21(a)所示，當(dāng)Vout降低，自RL流入輸出端的電流（吸收電流）增加時(shí)，n溝MOS晶體管M2的柵極電壓上升。就是說(shuō)，VGS2增加，M2的電流驅(qū)動(dòng)才干增強(qiáng)，能夠流過(guò)大的吸收電流。
另一方面，Vout上升時(shí)，自輸出端流向負(fù)載電阻的電流（源極電流）取不出那么大的值。原因是p溝MOS晶體管Mi的源極-柵極間電壓VSG1是一定的，M1能夠流出的電流沒(méi)有變化。這種情況示于圖9.21(b)中。因此，這個(gè)輸出電路流出的電流不能夠超越M1的穩(wěn)定的源極電流。在需求輸出大的源極電流的場(chǎng)合，要求輸出電路必需經(jīng)常流過(guò)與源極電流相等的靜態(tài)電流（無(wú)功電流）。這關(guān)系到效率的下降。 為了以小的靜態(tài)電流獲得無(wú)論是源極電流還是吸收電流都需求的大的輸出電流，應(yīng)該思索AB級(jí)輸出電路。
圖9.22示出AB級(jí)輸出電路的工作原理。給p溝MOS晶體管M1和n溝MOS晶體管M2各自的柵極加直流偏置電壓VBAT。如圖9.22(b)所示，假設(shè)輸出電路的輸入電壓Vin降落，那么M1的柵極電壓也降落。這時(shí)M2的電流驅(qū)動(dòng)才干下降，而M1的電流驅(qū)動(dòng)才干相應(yīng)地進(jìn)步。其結(jié)果，輸出源極電流增加了。
另一方面，如圖9.22 (c)所示，假設(shè)輸出電路的輸入電壓Vin上升，M1的柵極電壓也上升。這時(shí)M2的電流驅(qū)動(dòng)才干進(jìn)步，而M1的電流驅(qū)動(dòng)才干相應(yīng)公開(kāi)降。其結(jié)果，輸出吸收電流增加了。
圖9.23示出AB級(jí)輸出電路中輸出電流Iout與M1的電流Ipush，M2的電流Ipul，的關(guān)系。當(dāng)Iout=0時(shí)，Ipush和Ipull與靜態(tài)電流Iq相等。
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