MOS管功率放具有鼓勵(lì)功率小，輸出功率大，輸出漏極電流具有負(fù)溫度系數(shù)，安全可靠，且有工作頻率高，偏置簡略等長處。

mos管作用：

MOS管主驅(qū)動電路的輸出端與MOS管的柵極電銜接，輸入端接單片機(jī)脈寬調(diào)制輸入信號。 以運(yùn)放的輸出作為OCL的輸入，到達(dá)克制零點(diǎn)漂移的作用。

mos管電路：

MOS管驅(qū)動電路，驅(qū)動電路包含MOS管主驅(qū)動電路和欠壓維護(hù)電路。欠壓維護(hù)電路銜接在MOS管主驅(qū)動電路的輸入端，包含對比器、電阻R1、R2和穩(wěn)壓二極管D2；電阻R2和對比器的輸入端并聯(lián)再與電阻R1串聯(lián)在MOS管主驅(qū)動電路的驅(qū)動電源和電源地之間；對比器的輸出端串聯(lián)穩(wěn)壓二極管D2。

本實(shí)用新型的欠壓維護(hù)電路將驅(qū)動電源電壓經(jīng)電阻分壓后的電壓與設(shè)定的基準(zhǔn)電壓對比，假如低于基準(zhǔn)電壓，欠壓維護(hù)驅(qū)動電路當(dāng)即堵截MOS管驅(qū)動電路，有用避免MOS管進(jìn)入線性區(qū)所形成的功率器材功率低及易損壞等不良后果。

mos開關(guān)管：

開關(guān)損耗與功率MOS管的cgd和cgs以及芯片的驅(qū)動能力和工作頻率有關(guān)，所以要解決功率管的發(fā)燒可以從以下幾個(gè)方面解決：A、不能片面根據(jù)導(dǎo)通電阻大小來選擇MOS功率管，由于內(nèi)阻越小，cgs和cgd電容越大。如1N60的cgs為250pF左右，2N60的cgs為350pF左右，5N60的cgs為1200pF左右，差別太大了，選擇功率管時(shí)，夠用就可以了。對于前者，留意不要將負(fù)載電壓設(shè)置的太高，固然負(fù)載電壓高，效率會高點(diǎn)。如果芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當(dāng)然會引起芯片的發(fā)燒。有的工程師沒有留意到這個(gè)現(xiàn)象，直接調(diào)節(jié)sense電阻或者工作頻率達(dá)到需要的電流，這樣做可能會嚴(yán)峻影響LED的使用壽命。在均勻電流不變的條件下，只能看著光衰了。不管如何降頻沒有好處，只有壞處，所以一定要解決。

mos管電路特征：

1，用低端電壓和PWM驅(qū)動高端MOS管。

2，用小幅度的PWM信號驅(qū)動高gate電壓需要的MOS管。

3，gate電壓的峰值束縛

4，輸入和輸出的電流束縛

5，通過運(yùn)用適合的電阻，可以抵達(dá)很低的功耗。

6，PWM信號反相。NMOS并不需要這個(gè)特性，可以通過前置一個(gè)反相器來處理。

mos管參數(shù):

ards---漏源電阻溫度系數(shù)

aID---漏極電流溫度系數(shù)

Vn---噪聲電壓

η---漏極效率（射頻功率管）

Zo---驅(qū)動源內(nèi)阻

VGu---柵襯底電壓（直流）

VDu---漏襯底電壓（直流）

Vsu---源襯底電壓（直流）

VGD---柵漏電壓（直流）

VDS(sat)---漏源飽滿電壓

VDS(on)---漏源通態(tài)電壓

V（BR）GSS---漏源短路時(shí)柵源擊穿電壓

Vss---源極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）

VGG---柵極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）

VDD---漏極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）

VGSR---反向柵源電壓（直流）

VGSF--正向柵源電壓（直流）

Tstg---貯成溫度

Tc---管殼溫度

Ta---環(huán)境溫度

Tjm---最大容許結(jié)溫

Tj---結(jié)溫

PPK---脈沖功率峰值（外電路參數(shù)）

POUT---輸出功率

PIN--輸入功率

PDM---漏極最大容許耗散功率

PD---漏極耗散功率

R(th)ja---結(jié)環(huán)熱阻

R(th)jc---結(jié)殼熱阻

RL---負(fù)載電阻（外電路參數(shù)）

Rg---柵極外接電阻（外電路參數(shù)）

rGS---柵源電阻

rGD---柵漏電阻

rDS(of)---漏源斷態(tài)電阻

rDS(on)---漏源通態(tài)電阻

rDS---漏源電阻

Ls---源極電感

LD---漏極電感

L---負(fù)載電感（外電路參數(shù)）

Ku---傳輸系數(shù)

K---失調(diào)電壓溫度系數(shù)

gds---漏源電導(dǎo)

ggd---柵漏電導(dǎo)

GPD---共漏極中和高頻功率增益

GpG---共柵極中和高頻功率增益

Gps---共源極中和高頻功率增益

Gp---功率增益

gfs---正向跨導(dǎo)

Ipr---電流脈沖峰值（外電路參數(shù)）

Iu---襯底電流

IDSS2---對管第二管漏源飽滿電流

IDSS1---對管第一管漏源飽滿電流

IGSS---漏極短路時(shí)截止柵電流

IF---二極管正向電流

IGP---柵極峰值電流

IGM---柵極脈沖電流

IGSO---漏極開路時(shí)，截止柵電流

IGDO---源極開路時(shí)，截止柵電流

IGR---反向柵電流

IGF---正向柵電流

IG---柵極電流（直流）

IDS(sat)---溝道飽滿電流（漏源飽滿電流）

IDSS---柵-源短路時(shí)，漏極電流

IDSM---最大漏源電流

IDS---漏源電流

IDQ---靜態(tài)漏極電流（射頻功率管）

ID(on)---通態(tài)漏極電流

dv/dt---電壓上升率（外電路參數(shù)）

di/dt---電流上升率（外電路參數(shù)）

Eas:單次脈沖雪崩擊穿能量

Ear:重復(fù)雪崩擊穿能量

Iar:雪崩電流

Ton:正導(dǎo)游通時(shí)刻.(根本能夠忽略不計(jì)).

Qrr :反向恢復(fù)充電電量.

Trr :反向恢復(fù)時(shí)刻.

VSD :正導(dǎo)游通壓降.

ISM:脈沖最大續(xù)流電流(從源極).

IS :接連最大續(xù)流電流(從源極).

EAR:重復(fù)雪崩擊穿能量.

IAR :雪崩電流.

EAS :單次脈沖雪崩擊穿能量.這是個(gè)極限參數(shù),闡明 MOSFET 所能接受的最大雪崩擊穿能量.

mos管器件檢測：

1、把連接?xùn)艠O和源極的電阻移開，萬用表紅黑筆不變，假如移開電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無限大，則MOS管漏電，不變則完好

2、然后一根導(dǎo)線把MOS管的柵極和源極連接起來，假如指針立刻返回?zé)o限大，則MOS完好。

3、把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上，好的表針指示應(yīng)該是無限大。

4、用一只100KΩ－200KΩ的電阻連在柵極和漏極上，然后把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上，這時(shí)表針指示的值一般是0，這時(shí)是下電荷通過這個(gè)電阻對MOS管的柵極充電，產(chǎn)生柵極電場，因?yàn)殡妶霎a(chǎn)生導(dǎo)致導(dǎo)電溝道致使漏極和源極導(dǎo)通，故萬用表指針偏轉(zhuǎn)，偏轉(zhuǎn)的角度大，放電性越好。
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