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          不同的MOS管的不同點(diǎn)是什么
          • 發(fā)布時(shí)間:2020-04-09 16:48:27
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          不同的MOS管的不同點(diǎn)是什么
          MOS管為壓控元件,你只要加到它的壓控元件所需電壓就能使它導(dǎo)通,它的導(dǎo)通就像三極管在飽和狀態(tài)一樣,導(dǎo)通結(jié)的壓降最小,這就是常說的精典是開關(guān)作用,去掉這個(gè)控制電壓經(jīng)就截止。在各種項(xiàng)目中,我們基本都用增強(qiáng)型mos管,分為N溝道和P溝道兩種。
          MOS管
          我們常用的是NMOS,因?yàn)槠鋵?dǎo)通電阻小,且容易制造。在MOS管原理圖上可以看到,漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管。這個(gè)叫體二極管,在驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載(如馬達(dá)),這個(gè)二極管很重要。順便說一句,體二極管只在單個(gè)的MOS管中存在,在集成電路芯片內(nèi)部通常是沒有的。
          MOS管
          1.導(dǎo)通特性
          NMOS的特性,Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,適合用于源極接地時(shí)的情況(低端驅(qū)動(dòng)),只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。
          PMOS的特性,Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,適合用于源極接VCC時(shí)的情況(高端驅(qū)動(dòng))。但是,雖然PMOS可以很方便地用作高端驅(qū)動(dòng),但由于導(dǎo)通電阻大,價(jià)格貴,替換種類少等原因,在高端驅(qū)動(dòng)中,通常還是使用NMOS。
          MOS管
          2.MOS開關(guān)管損失
          不管是NMOS還是PMOS,導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在,這樣電流就會(huì)在這個(gè)電阻上消耗能量,這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。選擇導(dǎo)通電阻小的MOS管會(huì)減小導(dǎo)通損耗。現(xiàn)在的小功率MOS管導(dǎo)通電阻一般在幾十毫歐左右,幾毫歐的也有。
          MOS在導(dǎo)通和截止的時(shí)候,一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個(gè)下降的過程,流過的電流有一個(gè)上升的過程,在這段時(shí)間內(nèi),MOS管的損失是電壓和電流的乘積,叫做開關(guān)損失。通常開關(guān)損失比導(dǎo)通損失大得多,而且開關(guān)頻率越高,損失也越大。
          導(dǎo)通瞬間電壓和電流的乘積很大,造成的損失也就很大。縮短開關(guān)時(shí)間,可以減小每次導(dǎo)通時(shí)的損失;降低開關(guān)頻率,可以減小單位時(shí)間內(nèi)的開關(guān)次數(shù)。這兩種辦法都可以減小開關(guān)損失。
          3.MOS管驅(qū)動(dòng)
          跟雙極性晶體管相比,一般認(rèn)為使MOS管導(dǎo)通不需要電流,只要GS電壓高于一定的值,就可以了。這個(gè)很容易做到,但是,我們還需要速度。
          在MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到,在GS,GD之間存在寄生電容,而MOS管的驅(qū)動(dòng),實(shí)際上就是對(duì)電容的充放電。對(duì)電容的充電需要一個(gè)電流,因?yàn)閷?duì)電容充電瞬間可以把電容看成短路,所以瞬間電流會(huì)比較大。選擇/設(shè)計(jì)MOS管驅(qū)動(dòng)時(shí)第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。
          第二注意的是,普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的NMOS,導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同,所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個(gè)系統(tǒng)里,要得到比VCC大的電壓,就要專門的升壓電路了。很多馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器都集成了電荷泵,要注意的是應(yīng)該選擇合適的外接電容,以得到足夠的短路電流去驅(qū)動(dòng)MOS管。
          MOS管
          4.增強(qiáng)型和耗盡型MOS-FET
          增強(qiáng)型MOS-FET在柵極不加電壓的情況下是關(guān)斷的,只有當(dāng)Vgs滿足開通條件時(shí)才會(huì)形成導(dǎo)電溝道,才會(huì)導(dǎo)通。
          耗盡型MOS-FET在柵極不加電壓的情況下是開通的,只用當(dāng)Vgs滿足關(guān)斷條件的時(shí)候?qū)щ姕系啦艜?huì)夾斷。 
          5.結(jié)型和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管
          1、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管柵極容易被擊穿損壞,所以在包裝上絕緣柵型長(zhǎng)效性管管腳間都是短路的或者用金屬箔包裹的。而結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管在包裝上就無此要求。
          2、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的G、S兩端的正、反向電阻值都很大近乎不導(dǎo)通;結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的G、S端電阻值呈PN結(jié)的正、反向阻值??捎萌f用表的電阻檔來判斷。
          3、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管較常用,因?yàn)樗妮斎胱杩垢摺?br /> 烜芯微專業(yè)制造二極管,三極管,MOS管,橋堆等20年,工廠直銷省20%,1500家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用,專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以點(diǎn)擊右邊的工程師,或者點(diǎn)擊銷售經(jīng)理給您精準(zhǔn)的報(bào)價(jià)以及產(chǎn)品介紹
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