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        6. 晶體管工作狀態的判斷詳解
          • 發布時間:2021-11-26 18:55:30
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          晶體管工作狀態的判斷詳解
          晶體管是模擬電路中基礎的器件,是規范操作電腦,手機,和所有其它現代電子電路的基本構建塊。由于其響應速度快,準確性高,晶體管可用于各種各樣的數字和模擬功能,包括放大,開關,穩壓,信號調制和振蕩器。晶體管可獨立包裝或在一個非常小的的區域,可容納一億或更多的晶體管集成電路的一部分。晶體管有放大、飽和、截止三種工作狀態,那么在放大電路中如何判斷它處于何種工作狀態?下面一起來看看:
          1.工作條件
          1.1集電極電源Ec(或Vcc)
          Ec保證晶體管的集電結處于反向偏置,使管子工作在放大狀態,弱信號變為強信號。能量的來源是靠Ec的維持,而不是晶體管自身。
          1.2基極偏流電阻Rb
          在電源Eb的大小已經確定的條件下,改變Rb的阻值就可以改變晶體管的靜態電流Ib,從而也改變了集電極靜態電流Ic和管壓降Vce,使放大器建立起合適的直流工作狀態。
          1.3集電極電阻Rc
          在共發射極電壓放大器中,為了取出晶體管輸出端的被放大信號電壓Use(動態信號),需要在集電極串接一只電阻Rc。這樣一來,當集電極電流Ic通過時,在Re上產生一電壓降IcRc,輸出電壓由晶體管c-e之間取出,即Usc=Uce=Ec-IcRc,所以Use也和IcRc —樣隨輸入電壓Ui的發生而相應地變化。
          1.4基極電源Eb
          為了使晶體管產生電流放大作用,除了保證集電結處于反向偏置外,還須使發射結處于正向偏置,Eb的作用就是向發射結提供正向偏置電壓,并配合適當的基級電阻Rb,以建立起一定的靜態基極電流Ib。當Vbe很小時,Ib=0,只有當Vbe超過某一值時(硅管約0.5V,鍺管約0.2V,稱為門檻電壓),管子開始導通,出現Ib。隨后,Ib將隨Vbe增大而增大,但是,Vbe和Ib的關系不是線性關系:當Vbe大于0.7V后,Vbe再增加一點點,Ib就會增加很多。晶體管充分導通的Vbe近似等于一常數(硅管約0.5V,鍺管約 0.5V)。
          晶體管
          硅晶體管
          2.工作狀態判斷
          2.1放大區
          晶體管工作在放大區時,其發射結(b、e極之間)為正偏,集電結(b、c極之間)為反偏。對于小功率的NPN型硅,呈現為 Vbe≈0.7V,Vbc≤0V(具體數值視電源電壓Ec與有關元件的數值而定):對于NPN型鍺管,Vbe≈0.2V,Vbc≤0V;對于PNP型的晶體管,上述電壓值的符號相反,即小功率PNP型硅管Vbe≈-0.7V,Vbc≥0V;對于小功率PNP型鍺管,Vbe≈-0.2V,Vbc≥0V。如果在檢測電路中發現晶體三極管極間電壓為上述數值,即可判斷該晶體管工作在放大區,由該晶體管組成的這部分電路為放大電路。
          另外,由晶體管組成的振蕩電路中,也是工作在放大區,但由于晶體管的輸出經選頻諧振回路并同相反饋到其b、C極之間,使電路起振,那么b、e極之間的電壓Ube,對于硅管來說就小于0.7V 了(一般為0.2V左右)。如果檢測出Vbe≤0.7V,且用導線短接選頻諧振電路中的電感使電路停振時Vbe≈0.7V,則可判斷該電路為振蕩電路。
          2.2截止區
          晶體管工作在截止區時,發射結與集電結均為反偏,而在實際的電路中,發射結也可以是零偏置。這樣 對于小功率NPN型晶體管,呈現為Vbe≤0,Vbc≤0V(具體數值主要決定于電源電壓Ec);對于小功率NPN型晶體管,呈現為 Vbe≥0V,Vbc≥0V,此時的 Vce≈Ec,如果我們檢測出電路中晶體管間電壓為上述情況,則可判斷該晶體管工作在截止區。
          2.3飽和區
          晶體管工作在飽和區時,其發射結與集電結均為正偏。對于小功率NPN型硅管,呈現為Vbe≈0.7V(略大于工作在放大區時的數 值),Vbc≥0V (不大于Vbe的值);對于小功率NPN型鍺管,類似地有Vbe≥0.2V(略大于工作在放大區時的值),Vbc≥0V (不大于Vbe的值)。對于PNP型的晶體管,上述電壓值的符號相反,即小功率的PNP型硅管,Vbe≥-0.7V,Vb≤0V(不小于Vbe的 值;小功率PNP型鍺管,Vbe≤-2V,Vbc≤0V(不小于Vbe的值)。一般情況下,此時的Vce≈0.3V(硅管)或 Vce≈0.1V(鍺管),如果我們檢測出電路中的晶體管極間電壓符合上述情況,則可判斷該晶體管工作在飽和區。
          需要注意的是:在有些電子電路中,如開關電路、數字電路等,晶體管工作在截止區與飽和區之間相互轉換,如圖所示。當A點為0V時,EB通過R1、R2分壓使基極處于負電 壓,發射結反偏;同時集電結也是反偏的,那么晶體管T截止;當A點輸入為6V時,R1、R2分壓使晶體管發射結正偏,產生足夠大的基極電流使晶體管飽和導 通,輸出端L約為0.3V,此時集電結也為正偏。檢測電路是否正常時,可以分別使A端輸人0V與6V的電壓,并分別測量兩種情況下的晶體管極間電壓, 看是否符合上述截止與飽和的情況,從而就可以判斷該電路工作是否正常。
          晶體管
          截止區與飽和區互換
          以上就是晶體管工作狀態的判斷介紹了。電路在設計時,可根據電路的要求,讓晶體管工作在不同的區域以組成放大電路、振蕩電路、開關電路等,如果晶體管因某種原因改變了原來的正常工作狀態,就會使電路工作失常;電子產品出現故障,這時就要對故障進行分析,首要的工作就是按前述方法檢查晶體管的工作狀態。
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