功率MOSFET的寄生導(dǎo)通
實(shí)際上，功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通（不希望發(fā)生的事件）的機(jī)率比我們的預(yù)計(jì)更高，造成的損失也更大。寄生導(dǎo)通通常會(huì)損壞MOSFET，且之后很難查出故障的根源。寄生導(dǎo)通機(jī)制取決于漏源和柵源電壓間的電容分壓比例 。
圖1是一個(gè)基本的半橋配置，該半橋是H橋或三相橋的一部分。如果半橋上管的MOSFET導(dǎo)通了，為了避免直通和因過(guò)流而可能出現(xiàn)的MOSFET故障，必須關(guān)斷半橋下管的一個(gè)MOSFET。
圖1 MOSFET半橋及其感性負(fù)載
此時(shí)，可通過(guò)下列公式（1）計(jì)算出柵極和源極間的電壓：
因此，即便驅(qū)動(dòng)電路試圖關(guān)斷半橋下管的MOSFET，即驅(qū)動(dòng)電路將柵極和源極間的電壓置為0(UGS=0V)，但由于漏源電壓發(fā)生變化，且分壓線路包含米勒電容(CGD)和柵源電容，所以MOSFET仍然有導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn)。
電容分壓器是最快的分壓器，對(duì)漏源之間出現(xiàn)的所有瞬態(tài)電壓反應(yīng)極快，并對(duì)其中的高頻瞬態(tài)電壓（即du/dt高的UDS ）反應(yīng)尤其快。在柵極和源極之間安裝一個(gè)電阻在一定程度上可以防范寄生導(dǎo)通，但作用很小且對(duì)高du/dt值無(wú)作用。
下面的例子闡述了這些電壓到底有多高，多快：
圖2是具有寄生元件的逆變器橋臂的半橋配置。電路布局，幾何約束或MOSFET連接線所造成的寄生電感，電阻和電容是無(wú)法避免的。
另一方面，逆變器所在的電路具有最高的di/dt值（典型值約為1A/ns），而電機(jī)的相電流和電源線里的電流變化相對(duì)平穩(wěn)。
圖2 具有寄生電感（綠色部分）的逆變器半橋基本設(shè)計(jì)圖
MOSFET里的二極管恢復(fù)脈沖常常在半橋里產(chǎn)生最高的di/dt。寄生電感和高di/dt感應(yīng)同時(shí)出現(xiàn)或多或少會(huì)產(chǎn)生高感應(yīng)電壓尖峰，并在半橋里產(chǎn)生大量地高頻噪聲。
根據(jù)寄生電感的尺寸，在12V應(yīng)用中會(huì)出現(xiàn)過(guò)壓和欠壓尖峰，范圍是1－2V和幾十伏。除了產(chǎn)生高頻噪聲，這些電壓尖峰還會(huì)危害MOSFET，橋式驅(qū)動(dòng)器和其它的ECU元件。此外，它們還會(huì)使功率MOSFET意外導(dǎo)通。
為避免寄生導(dǎo)通，如何選取MOSFET
再看公式（1）：
為了防止寄生導(dǎo)通，UGS/UDS比必須盡量小，UDS/UGS 比必須盡量大，CGS/CGD比也必須盡量大。因此，建議：
為了對(duì)寄生導(dǎo)通反應(yīng)低敏，CGS/CGD 比必須盡量大，大于15（或者最小大于10）。
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