生產(chǎn)MOS管簡(jiǎn)介
半導(dǎo)體產(chǎn)品從開(kāi)始生產(chǎn)到完成制造，主要有兩道加工工藝，分別被稱(chēng)為前道生產(chǎn)和后道生產(chǎn)。MOSFET 雖然是一種結(jié)構(gòu)比較簡(jiǎn)單的半導(dǎo)體器件，但是也同樣需要通過(guò)這兩道生產(chǎn)加工工藝。
前道生產(chǎn)主要指晶圓制造，包括光刻、等離子體刻蝕、離子注入、離子擴(kuò)散、氧化、蒸發(fā)、氣相外延生長(zhǎng)、濺射和化學(xué)氣相淀積等復(fù)雜的加工步驟. 這些加工步驟的目的是主要在硅片上創(chuàng)作出一個(gè)個(gè)具有完整功能的晶粒。
每個(gè)晶粒的電性能，由探針臺(tái)與自動(dòng)測(cè)試設(shè)備搭建的晶圓測(cè)試平臺(tái)進(jìn)行驗(yàn)證。
不能通過(guò)測(cè)試的晶粒，會(huì)被點(diǎn)上墨點(diǎn)，作為不合格的標(biāo)記. 在后道生產(chǎn)中會(huì)識(shí)別這些標(biāo)記，有墨點(diǎn)的晶粒不會(huì)被加工. 由于晶圓被稱(chēng)為Wafer 或者Die，對(duì)晶粒的測(cè)試也被稱(chēng)為Wafer Sorting 或Die Sorting。
后道生產(chǎn)主要指封裝測(cè)試，即通過(guò)圖1 - 1 所示的加工流程，把晶粒制造成我們平時(shí)所看到的樣式。 當(dāng)產(chǎn)品封裝完畢后，需要再次通過(guò)測(cè)試來(lái)驗(yàn)證產(chǎn)品的電性能，確保成品能夠符合產(chǎn)品規(guī)格。
由于這次測(cè)試屬于后道生產(chǎn)的最后一個(gè)流程，也是整個(gè)生產(chǎn)流程的最后一步，所以被稱(chēng)為最終測(cè)試， 即Final Test。
封裝測(cè)試備加工流程的簡(jiǎn)要介紹如下:
1 ) 晶粒切割， Wafer Sawing.
使用高速旋轉(zhuǎn)的切割刀，把晶圓上的晶粒切割分離開(kāi)來(lái)。
2) 晶粒黏貼， Die Attach.
銀膠把晶粒黏貼到導(dǎo)線框架的預(yù)定位置上。
3) 焊線， Wire Bond.
在晶粒的焊點(diǎn)和引腳框架的引腳之間，焊接上金屬細(xì)線，建立晶粒電路與外部的連接。
4）封塑， Molding.
把黏有晶粒，熔好線的引腳樞架放置到壓鑄模具中，再把熔融的樹(shù)脂塑料壓入模中，把整個(gè)晶粒按封裝要求被包裹起來(lái)。
5) 切割成型，Trim and Form.
將引腳框架多余的連接材料切除掉，并根據(jù)產(chǎn)品的封裝形式，把引腳塑造成需要的形狀。
6) 最終測(cè)試，F(xiàn)inal Test.
測(cè)試產(chǎn)品的性能是否符合要求.通過(guò)測(cè)試的產(chǎn)品被認(rèn)為是合格產(chǎn)品。
雖然，在每個(gè)封裝加工流程，都有一定的工藝控制方法和質(zhì)量監(jiān)測(cè)手段，但是仍然會(huì)有一些難以控制的缺陷被引入到產(chǎn)品中去。
所以當(dāng)產(chǎn)品完成封裝后，需要邊過(guò)測(cè)試來(lái)鑒定產(chǎn)品的質(zhì)最。就測(cè)試項(xiàng)目和測(cè)試方法來(lái)說(shuō).Wafer Sorting 與Final Test 的區(qū)別并不大，但是最終測(cè)試在整個(gè)生產(chǎn)加工流程的最后一步，對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量把關(guān)的作用更為重要。
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