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        6. MOSFET di/dt與dv/dt分開(kāi)控制方法介紹
          • 發(fā)布時(shí)間:2022-11-17 19:37:15
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          MOSFET di/dt與dv/dt分開(kāi)控制方法介紹
          功率 MOSFET 的開(kāi)關(guān)過(guò)程
          功率 MOSFET 的開(kāi)通過(guò)程中可以分為 4 個(gè)階段,關(guān)斷過(guò)程的基本原理和開(kāi)通過(guò)程相類似,以前的文章對(duì)其進(jìn)行過(guò)非常詳細(xì)的敘述,N 溝道功率 MOSFET 放在低端直接驅(qū)動(dòng)的波形如圖 1 所示。
          MOSFET di/dt dv/dt
          圖 1:功率 MOSFET 的開(kāi)通過(guò)程
          階段 3(t2-t3)為米勒平臺(tái),VGS 電壓保持米勒平臺(tái)電壓 VGP,整個(gè)過(guò)程中,VDS 電壓逐漸下降到低的電壓值,ID 電流保持不變。
          MOSFET di/dt dv/dt
          若功率 MOSFET 使用 N 管或 P 管放在高端,工作原理類似,工作的波形如下圖 2 所示。
          MOSFET di/dt dv/dt
          圖 2:N-MOSFET 放在高端的開(kāi)通波形
          MOSFET di/dt dv/dt
          圖 3:P-MOSFET 放在高端
          MOSFET di/dt dv/dt
          圖 4:P-MOSFET 放在高端開(kāi)通波形
          di/dt 和 dV/dt 的分開(kāi)獨(dú)立控制
          由前面的分析可以知道,在階段 2:t1-t2 的開(kāi)通過(guò)程中,漏極電流 ID 不斷增加,VDS 保持不變,這個(gè)過(guò)程主要控制著回路的電流變化率 di/dt。
          在驅(qū)動(dòng)電源 VCC 和驅(qū)動(dòng)芯片的驅(qū)動(dòng)能力確定的條件下,驅(qū)動(dòng)電路的 RG 以及 Ciss 決定著開(kāi)通過(guò)程的電流變化率 di/dt。外加 G、S 的電容 CGS1 調(diào)節(jié)開(kāi)通過(guò)程的 di/dt 的波形如圖 5 所示。
          MOSFET di/dt dv/dt
          圖 5:外加 G、S 電容 CGS1 開(kāi)通波形
          在階段 3:t2-t3 的開(kāi)通過(guò)程中,漏極電流 ID 保持不變,VDS 不斷降低,這個(gè)過(guò)程主要控制著回路的電壓變化率 dV/dt。在驅(qū)動(dòng)電源 VCC 和驅(qū)動(dòng)芯片的驅(qū)動(dòng)能力確定的條件下,驅(qū)動(dòng)電路的 RG 以及 Crss 決定著開(kāi)通過(guò)程的電壓變化率 dV/dt。
          實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中,功率 MOSFET 的 Crss 非常小,而且是非線性的,隨著電壓的變化而變化,變化的幅值也非常大,單獨(dú)用 Crss 和 RG 來(lái)控制 dV/dt,dV/dt 控制精度差。
          如果系統(tǒng)的 dV/dt 控制精度要求比較高,也就是輸出電壓的上電時(shí)間的控制精度要求比較高,而且上電時(shí)間也比較長(zhǎng),需要在 G 極和 D 極之間外加一個(gè)的電容 CGD1,CGD1 值遠(yuǎn)大于 Crss,功率 MOSFET 內(nèi)部寄生的非線性電容 Crss 的影響可以忽略,dV/dt 的時(shí)間主要由外加的線性度好的外加電容 CGD1 控制,就可以比較準(zhǔn)確的控制功率 MOSFET 的 dV/dt 的時(shí)間。
          MOSFET di/dt dv/dt
          圖 6:外加 G、D 電容 CGD1 開(kāi)通波形
          完整的外圍電路,包括 G 極電阻總和 RG,RG 并聯(lián)快關(guān)斷二極管 D1,功率 MOSFET 的 G、S 外加電容 CGS1,G、D 外加電容 CGD1 和電阻 RGD,如圖 7 所示,其中 RG 為 G 極電阻總和,包括功率 MOSFET 內(nèi)部電阻、驅(qū)動(dòng)芯片上拉電阻和外加串聯(lián)電阻 RG1。
          MOSFET di/dt dv/dt
          圖 7:負(fù)載開(kāi)關(guān)和熱插撥完整外圍電路
          本文所介紹的 di/dt 、dV/dt 分開(kāi)單獨(dú)控制的方法同樣可以用在其它系統(tǒng),特別是電機(jī)控制應(yīng)用,在電機(jī)控制系統(tǒng)的主功率板,功率 MOSFET 或 IGBT 的驅(qū)動(dòng)電路并聯(lián)有外部的電容 CGS 或 CGE,其調(diào)節(jié)方法和上面相同:
          (1)通過(guò)調(diào)整驅(qū)動(dòng)電路的 RG,來(lái)調(diào)整回路的 dV/dt
          (2)然后調(diào)整驅(qū)動(dòng)電路的并聯(lián)電容 CGS,來(lái)調(diào)整回路的 di/dt
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