P溝道MOS管作為開(kāi)關(guān)的條件（GS >GS（TH））
1、P溝道m(xù)os管作為開(kāi)關(guān)，柵源的閥值為-0.4V，當(dāng)柵源的電壓差為-0.4V就會(huì)使DS導(dǎo)通，如果S為2.8V，G為1.8V，那么GS=-1V，mos管導(dǎo)通，D為2.8V
如果S為2.8V，G為2.8V，那么mos管不導(dǎo)通，D為0V，所以，如果2.8V連接到S，要mos管導(dǎo)通為系統(tǒng)供電，系統(tǒng)連接到D，利用G控制。
那么和G相連的GPIO高電平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管關(guān)斷，低電平使mos管導(dǎo)通。
如果控制G的GPIO的電壓區(qū)域?yàn)?.8V，那么GPIO高電平的時(shí)候?yàn)?.8V，GS為1.8-2.8=-1V，mos管導(dǎo)通，不能夠關(guān)斷。
GPIO為低電平的時(shí)候，假如0.1V，那么GS為0.1-2.8=-2.7V,mos管導(dǎo)通。這種情況下GPIO就不能夠控制mos管的導(dǎo)通和關(guān)閉。
2、P溝道的源極S接輸入，漏極D導(dǎo)通輸出，N溝道相反。跟箭頭方向相反的電流就是導(dǎo)通，方向相同就是截止。
增強(qiáng)型P溝道MOS管開(kāi)關(guān)條件案例分析
pmos管作為開(kāi)關(guān)使用時(shí)，是由Vgs的電壓值來(lái)控制S（source源極）和 D（drain漏極）間的通斷。
Vgs的最小閥值電壓為：0.4v，也就是說(shuō)當(dāng) S（source源極）電壓 — G（gate柵極）極 > 0.4V 時(shí)， 源極 和 漏極導(dǎo)通。
并且Vs = Vd ，S極電壓等于D極電壓。
例如：
S極 為 3.3V，G極 為0.1V，則 Vgs = Vg — Vs = -3.2 pmos管導(dǎo)通，D極電壓為3.3V
一般pmos管當(dāng)做開(kāi)關(guān)使用的時(shí)，S極和D極之間幾乎沒(méi)有壓降。
在實(shí)際使用中，一般G極接MCU控制管腳，S極接電源正極VCC，D極接器件的輸入。實(shí)際使用中的一個(gè)樣例如下：
RF_CTRL為低電平的時(shí)候，RF_RXD 和 RF_TXD上的電壓為 VDD。
下面電路為P溝道MOS管用作電路切換開(kāi)關(guān)使用電路：
電路分析如下：
pmos的開(kāi)啟條件是VGS電壓為負(fù)壓，并且電壓的絕對(duì)值大于最低開(kāi)啟電壓，一般小功率的PMOS管的最小開(kāi)啟電壓為0.7V左右，假設(shè)電池充滿(mǎn)電，電壓為4.2V,VGS=-4.2V，PMOS是導(dǎo)通的，電路是沒(méi)有問(wèn)題的。
當(dāng)5V電壓時(shí)，G極的電壓為5V，S極的電壓為5VV-二極管壓降（0.5左右）=4.5V，PMOS管關(guān)段，當(dāng)沒(méi)有5V電壓時(shí)，G極電壓下拉為0V，S極的電壓為電池電壓（假設(shè)電池充滿(mǎn)電4.2V）-MOS管未導(dǎo)通二極管壓降（0.5V）=3.7，這樣PMOS就導(dǎo)通，二極管壓降就沒(méi)有了這樣VGS=-4.2V.PMOS管導(dǎo)通對(duì)負(fù)載供電。
在這里用一個(gè)肖特基二極管（SS12）也可以解決這個(gè)問(wèn)題，不過(guò)就是有0.3V左右的電壓降。這里使用PMOS管，PMOS管完全導(dǎo)通，內(nèi)阻比較小，優(yōu)于肖特基，幾乎沒(méi)有壓降。不過(guò)下拉電阻使用的有點(diǎn)大，驅(qū)動(dòng)PMOS不需要電流的，只要電壓達(dá)到就可以了，可以使用大電阻，減少工作電流，推薦使用10K-100K左右的電阻。
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