SiC MOSFET短路保護
1、SiC MOSFET的晶元面積小于IGBT晶元面積，短路時候散熱能力不及IGBT。
2、IGBT短路后能夠退飽和（desaturation）進入線性區(qū)，電流不再增加，能夠自我限流。
3、短路后SiC MOSFET 由線性區(qū)（linear region）進入飽和區(qū)（saturation region），拐點電壓非常高，因此Id電流增加的同時，Vds隨著上升，進一步擴大短路損耗。
4、IGBT退飽和保護機理，如下圖，正常工作Cblk 電壓會被嵌位到Vce+Vd，當IGBT進入退飽和拐點后，Vce迅速上升，Dhv由導通變?yōu)榻刂梗娏髟囱杆賹blk充電，抬高電壓DESATFault 置位。
IGBT 退飽和電路
5、由于SiC MOSFET的“退飽和拐點”非常高，Vds的響應速度非常慢，一般不采用Vce電壓進行“退飽和”操作，通過采樣電阻電流采樣，精度高。但是損耗大，在小電流應用中使用。
6、對于大電流應用，傾向于帶有SENSE PIN的MOSFET進行電流采樣，Rs上電流和主管上的電流存在一定的比例關系，從而減小采樣電阻上電壓。
〈烜芯微/XXW〉專業(yè)制造二極管，三極管，MOS管，橋堆等，20年，工廠直銷省20%，上萬家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用，專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品，如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯(lián)系下方的聯(lián)系號碼或加QQ/微信，由我們的銷售經(jīng)理給您精準的報價以及產(chǎn)品介紹
聯(lián)系號碼：18923864027（同微信）
QQ：709211280