MOSFET 作為開(kāi)關(guān)元件，導(dǎo)通時(shí)電流流過(guò)圖 1 中的回路 1，斷開(kāi)時(shí)無(wú)電流流過(guò)。因此，MOSFET 的功率損耗主要由傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗組成。
MOSFET 的傳導(dǎo)損耗
MOSFET 的傳導(dǎo)損耗(PCOND_MOSFET)近似等于導(dǎo)通電阻(RDS_ON)、占空比(D)和導(dǎo)通時(shí) MOSFET 的平均電流(IMOSFETAVG)的平方的乘積。
即：
PCOND_MOSFET = IMOSFET_AVG2*RDSON*D
上式給出了開(kāi)關(guān)電源中 MOSFET 傳導(dǎo)損耗的近似值，但它只作為電路損耗的估算值，因?yàn)殡娏骶€性上升時(shí)所產(chǎn)生的功耗大于由平均電流計(jì)算得到的功耗（見(jiàn)下方證明）。
對(duì)于“峰值”電流，更準(zhǔn)確的計(jì)算方法是對(duì)電流峰值和谷值(圖 2 中的 IV和 IP)之間的電流波形的平方進(jìn)行積分得到估算值。
圖 2 MOSFET 電流波形
下式給出了更準(zhǔn)確的估算損耗的方法，利用 IP和 IV之間電流波形平方的積分替代簡(jiǎn)單的平均電流計(jì)算的功耗。
也就證明了電流線性上升所產(chǎn)生的功耗大于由平均電流計(jì)算得到的功耗！
當(dāng)然也可以用圖 2 中的實(shí)例分別計(jì)算兩種估算公式的結(jié)果：
例如：如果 Iv為 0.25A，IP為 1.75A，RDS(ON)為 0.1Ω，VOUT為 VIN/2，即 D = 0.5，基于平均電流(1A)的計(jì)算結(jié)果為：
因此，可以得出一般結(jié)論：對(duì)于峰均比較小（即電流紋波率）的電流波形，兩種計(jì)算結(jié)果的差別很小，利用平均電流計(jì)算即可滿足要求。
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