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          變?nèi)荻O管的工作原理介紹
          • 發(fā)布時(shí)間:2024-10-08 19:40:46
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          變?nèi)荻O管的工作原理介紹
          變?nèi)荻O管,也稱為變電容,VVC(電壓可變電容或調(diào)諧二極管),是一種半導(dǎo)體二極管,當(dāng)器件反向偏置時(shí),其p-n結(jié)上具有可變電壓相關(guān)電容。
          反向偏置基本上意味著當(dāng)二極管受到相反的電壓時(shí),這意味著陰極處的正電壓和陽極的負(fù)電壓。
          變電容變?nèi)荻O管
          變?nèi)荻O管的工作方式取決于二極管處于反向偏置模式時(shí)p-n結(jié)上的現(xiàn)有電容。
          在這種情況下,我們發(fā)現(xiàn)在結(jié)的p-n側(cè)上建立了一個(gè)未覆蓋的電荷區(qū)域,它們共同導(dǎo)致整個(gè)結(jié)上的耗盡區(qū)域。
          此耗盡區(qū)域在器件中建立耗盡寬度,符號(hào)為 Wd。
          由于上述解釋的隔離未覆蓋電荷,p-n結(jié)兩端的電容躍遷可以使用以下公式確定:
          CT = ε。A/W
          其中ε是半導(dǎo)體材料的介電常數(shù),A是p-n結(jié)面積,Wd是耗盡寬度。
          工作原理
          變電容或變?nèi)荻O管的基本工作原理可以通過以下解釋來理解:
          當(dāng)施加具有上升反向偏置電位的變?nèi)荻O管或變?nèi)荻O管時(shí),會(huì)導(dǎo)致器件的耗盡寬度增加,進(jìn)而導(dǎo)致其過渡電容減小。
          下圖顯示了變?nèi)荻O管的典型特性響應(yīng)。
          變電容變?nèi)荻O管
          我們可以看到CT的初始急劇下降,以響應(yīng)反向偏置電位的增加。通常,可變電壓電容二極管施加的反向偏置電壓VR的范圍限制為20 V。
          關(guān)于施加的反向偏置電壓,轉(zhuǎn)換電容可以使用以下公式近似計(jì)算:
          CT = K / (VT + VR)n
          在該公式中,K是一個(gè)常數(shù),由所用半導(dǎo)體材料的類型及其結(jié)構(gòu)布局決定。
          VT是膝關(guān)節(jié)電位,如下所述:
          變電容變?nèi)荻O管
          VR是施加在設(shè)備上的反向偏置電位量。
          對(duì)于使用合金結(jié)的可變電容二極管,n的值為1/2,對(duì)于使用擴(kuò)散結(jié)的二極管,n的值為1/3。
          在沒有偏置電壓或零電壓偏置的情況下,電容C(0)作為VR的功能可以通過以下公式表示。
          CT(VR) = C(0) / (1 + |VR/VT|)n
          變電容等效電路
          變電容二極管的標(biāo)準(zhǔn)符號(hào)(b)和等效近似電路(a)如下圖所示:
          變電容變?nèi)荻O管
          右圖提供了變電容二極管的近似仿真電路。
          作為二極管,在反向偏置區(qū)域,等效電路RR中的電阻明顯較大(約1M歐姆),而幾何電阻值Rs則相當(dāng)小。CT 的值可能在 2 到 100 pF
          之間變化,具體取決于所使用的變異帽類型。
          為了確保RR值足夠大,從而使漏電流最小,通常選擇硅材料作為變電容二極管。
          由于變分二極管應(yīng)該專門用于極高頻應(yīng)用,因此電感LS即使看起來很小,也不能被忽略。
          這種看起來很小的電感的影響可能相當(dāng)顯著,可以通過以下電抗計(jì)算來證明。
          XL = 2πfL,讓我們想象一下,頻率為 10 GHz,LS = 1 nH,將在 XLS = 2πfL = (6.28)(1010赫茲)(
          10-9F) = 62.8 歐姆。這看起來太大了,毫無疑問,這就是為什么變電容二極管被指定有嚴(yán)格的頻率限制的原因。
          如果我們假設(shè)頻率范圍合適,并且RS,XLS的值與其他串聯(lián)元件相比較低,則可以簡(jiǎn)單地用可變電容器代替上述等效電路。
          了解變?nèi)荻O管或變?nèi)荻O管的數(shù)據(jù)表
          典型變電容二極管的完整數(shù)據(jù)表可以從下圖中研究:
          變電容變?nèi)荻O管
          上圖中的C3/C25之比顯示了當(dāng)二極管的反向偏置電位在3至25
          V之間時(shí),電容水平的比值。該比率有助于我們快速參考電容相對(duì)于施加的反向偏置電位的變化水平。
          優(yōu)點(diǎn)Q系數(shù)提供了為應(yīng)用實(shí)現(xiàn)器件的考慮范圍,它也是電容器件每個(gè)周期存儲(chǔ)的能量與每個(gè)周期損失或耗散的能量之比的比率。
          由于能量損失大多被認(rèn)為是負(fù)屬性,因此比率的相對(duì)值越高越好。
          數(shù)據(jù)手冊(cè)的另一個(gè)方面是變電容二極管的諧振頻率。這是由公式?jīng)Q定的:
          fo = 1/2π√LC
          該系數(shù)決定了變電容二極管的應(yīng)用范圍。
          電容溫度系數(shù)
          變電容變?nèi)荻O管
          參考上圖,可變電容二極管的電容溫度系數(shù)可以使用以下公式進(jìn)行評(píng)估:
          變電容變?nèi)荻O管
          其中ΔC表示器件電容的變化,由于溫度變化(T1 - T0)表示,對(duì)于特定的反向偏置電位。
          例如,在上面的數(shù)據(jù)表中,它顯示了 C0 = 29 pF,VR = 3 V 和 T0 = 25 攝氏度。
          使用上述數(shù)據(jù),我們可以評(píng)估變分二極管電容電容的變化,只需將新的溫度T1值和圖表中的TCC代入(0.013)。有了新的VR,TCC值可以預(yù)期會(huì)相應(yīng)地變化。回顧數(shù)據(jù)表,我們發(fā)現(xiàn)達(dá)到的最大頻率為600
          MHz。
          使用此頻率值,變矩電容的電抗XL可以計(jì)算為:
          XL = 2πfL = (6.28)(600 x 1010赫茲)(2.5 x 10-9F) = 9.42 歐姆
          結(jié)果是一個(gè)相對(duì)較小的星等,忽略它是可以接受的。
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