10G04,10G04場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù),N+P場(chǎng)效應(yīng)管10G04,10G04代換
10G04場(chǎng)效應(yīng)管,N+PMOS管10G04參數(shù)資料,10G04引腳圖,10G04中文資料規(guī)格書PDF
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10G04/SOP-8/SOIC-8封裝參數(shù)：點(diǎn)擊查看
10G04場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)具體如下：
極性：NPN+PNP
NPN極參數(shù)如下:
NPN極參數(shù)如下:
Drain-Source Voltage 漏源電壓Vds：40V
Gate-Source Voltage 柵源電壓Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=25℃：10A
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=25℃：3.4W
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=70℃：W
Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=10A,VGS=10V： Typ 17mΩ Max 20mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=5A,VGS=4.5V：Typ 22mΩ Max 27mΩ
Junction and Storage Temperature Range 溫度范圍：-55~+150℃
PNP極參數(shù)如下:
Drain-Source Voltage 漏源電壓Vds：-40V
Gate-Source Voltage 柵源電壓Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=25℃：-10A
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=25℃：7.5W
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=70℃：W
Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=-8A,VGS=-10V： Typ 34mΩ Max 44mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=-5A,VGS=-4.5V：Typ 46mΩ Max 62mΩ
Junction and Storage Temperature Range 溫度范圍：-55~+150℃
10G04場(chǎng)效應(yīng)管SOP-8/SOIC-8封裝尺寸：
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