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        6. XXW306D場效應(yīng)管參數(shù),XXW306D 40A 30V 雙N溝道 DFN3×3
          • 發(fā)布時(shí)間:2024-11-02 17:03:15
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          XXW306D場效應(yīng)管參數(shù),XXW306D 40A 30V 雙N溝道 DFN3×3
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          XXW306D
          XXW306D PDFN3×3-8L封裝參數(shù):點(diǎn)擊查看XXW304D
          XXW306D場效應(yīng)管參數(shù)具體如下:
          XXW306D
          封裝類型:PDFN3×3-8L
          極性:雙N溝道
          漏極電流:40A
          功率耗散:30W
          反向傳輸電容Crss:201pF
          柵極源極擊穿電壓:±20V
          擊穿電壓:30V
          開啟電壓(VGS(th)):1.2~2.5V
          存儲溫度:-55℃~+150℃
          引腳數(shù):8Pin
          導(dǎo)通電阻ID=20A,VGS=10V:Typ 5mΩ Max 6.3mΩ
          導(dǎo)通電阻ID=15A,VGS=4.5V:Typ 6.9mΩ Max 9mΩ
          工作溫度:-55℃~+150℃
          安裝類型:SMT
          二、作用與應(yīng)用
          1.電源管理:XXW306D可用于電源管理電路中,如DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源開關(guān),提供高效的電能轉(zhuǎn)換和控制。
          2.電機(jī)控制:在電機(jī)控制系統(tǒng)中,XXW306D可以作為驅(qū)動器件,控制電機(jī)的啟停和轉(zhuǎn)速,實(shí)現(xiàn)高效的能量管理。
          3.電池管理系統(tǒng):XXW306D也常用于電池管理系統(tǒng)中,確保電池在充電和放電過程中的安全和穩(wěn)定。
          4.通信設(shè)備:在通信設(shè)備中,XXW306D可以作為信號放大和處理的關(guān)鍵部件,提供穩(wěn)定的信號傳輸。
          三、封裝特點(diǎn)
          XXW306D采用PDFN3×3-8L封裝,這是一種表面貼裝技術(shù)(SMT)封裝,具有以下特點(diǎn):
          1.低電感、低電阻:由于去除了傳統(tǒng)引腳結(jié)構(gòu),DFN封裝具有更低的電感和電阻,有助于提高信號傳輸?shù)男屎退俣取?/div>
          2.良好的電氣性能:DFN封裝在高頻和高速應(yīng)用中表現(xiàn)出色,有利于提升器件的電氣性能和信號完整性。
          3.優(yōu)異的機(jī)械強(qiáng)度:基于其結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),DFN封裝能夠提供較高的機(jī)械強(qiáng)度和抗沖擊性。
          4.緊湊的設(shè)計(jì):DFN封裝占用更小的PCB面積,考慮到成本、體積各方面的因素,DFN封裝將會是未來幾年的一個(gè)增長點(diǎn),發(fā)展前景較為樂觀。
          XXW306D場效應(yīng)管PDFN3×3-8L封裝尺寸:
          XXW306D
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