在開關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動等領(lǐng)域，MOS 管憑借高效的開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻成為核心器件。然而，在高頻、大電流的工作環(huán)境下，峰值電壓的出現(xiàn)成為影響系統(tǒng)穩(wěn)定性與設(shè)備安全的重要問題。本文深入剖析了 MOS 管峰值電壓產(chǎn)生的原因、對電路的不良影響以及有效的保護(hù)措施。
一、MOS 管峰值電壓產(chǎn)生的原因
寄生電容的影響
MOS 管工作時存在內(nèi)部寄生電容，包括柵源電容（Cgs）和漏源電容（Cds）。在開關(guān)過程中，這些寄生電容的充放電行為會導(dǎo)致電壓波動。當(dāng) MOS 管從導(dǎo)通轉(zhuǎn)為截止時，寄生電容電荷迅速釋放，引起漏極瞬時電壓上升。其中，Cgs 在斷電瞬間可能未完全放電，造成柵電壓和漏電壓波動；而 Cds 在關(guān)斷時，由于漏源電流迅速減小，其電荷迅速釋放，進(jìn)一步增加電壓尖峰的發(fā)生風(fēng)險。
電感效應(yīng)
電路中的導(dǎo)線、器件本身或 MOS 管周圍的元件會產(chǎn)生寄生電感。隨著電流變化率（di/dt）的變化，較大的電感會在關(guān)斷 MOS 管時導(dǎo)致電感兩端產(chǎn)生很大的壓降，疊加在漏極電壓上形成峰值電壓。特別地，寄生源極電感（Ls）在關(guān)斷時會產(chǎn)生反向峰值電壓，疊加在漏極電壓上，增大峰值電壓幅度。
驅(qū)動電路不當(dāng)
若驅(qū)動電路無法對寄生電容快速充放電，會導(dǎo)致柵極電壓不穩(wěn)定，進(jìn)而影響漏極電壓。這種情況常見于驅(qū)動電流不足或驅(qū)動響應(yīng)速度不夠快的電路中，容易導(dǎo)致斷電時電壓尖峰增大。
負(fù)載電流突然變化
當(dāng) MOS 管從導(dǎo)通狀態(tài)變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)時，負(fù)載電流迅速下降。如果電流變化過快，電感和寄生電容相互作用，可能引起較大的電壓波動，形成峰值電壓。
電源和接地電纜阻抗
在高頻下，電源和接地電纜阻抗可能較高。這些阻抗在 MOS 管快速關(guān)斷時會導(dǎo)致電壓波動，產(chǎn)生峰值電壓。在高功率情況下，電源和接地阻抗對峰值電壓的影響尤為顯著。
二、峰值電壓對電路和系統(tǒng)性能的負(fù)面影響
器件損壞
過高的峰值電壓會使 MOS 管承受超過額定值的電壓，導(dǎo)致過載、過熱，甚至柵氧化層塌陷。這些問題不僅會縮短 MOS 管的壽命，還可能對其造成直接損壞。
系統(tǒng)性能下降
峰值電壓會引起系統(tǒng)輸出電壓波動，給系統(tǒng)帶來電磁干擾（EMI）和噪聲等問題，降低工作效率和可靠性。對于穩(wěn)定性要求較高的應(yīng)用，如精密控制和通信系統(tǒng)，其影響更為嚴(yán)重。
復(fù)雜的驅(qū)動電路設(shè)計
為了抑制峰值電壓，設(shè)計人員往往需要采取額外措施，如并聯(lián)電阻器、電容器或保護(hù)二極管等組件，這增加了電路復(fù)雜性和成本。
三、降低 MOS 管峰值電壓影響的措施
電路布局優(yōu)化
良好的 PCB 設(shè)計可以有效降低寄生電感和電容對峰值電壓的影響。正確的布線能夠縮短電源與地之間的距離，適當(dāng)增加去耦電容可以有效降低關(guān)鍵路徑寄生電感和峰值電壓幅值，從而進(jìn)一步抑制電壓波動。
軟開關(guān)技術(shù)
軟開關(guān)技術(shù)允許以零或接近零電壓開關(guān)頻率進(jìn)行開關(guān)，并引入諧振電容。該技術(shù)減少了開關(guān)期間的電壓和電流變化，從而減少了峰值電壓的出現(xiàn)，特別適合高頻電路。
加吸收電路
在 MOS 管的漏極和源極之間并聯(lián)一個電阻和一個電容，構(gòu)成吸收電路。這種電路可以有效耗散反向峰值電壓的能量，降低峰值電壓幅值。不過，需要選擇適當(dāng)?shù)碾娮韬碗娙葜担员苊鈱﹄娐菲渌糠之a(chǎn)生負(fù)面影響。
選擇合適的 MOS 管
通過選擇具有較高耐壓的 MOS 管，可以降低電壓尖峰的可能性。同時，還應(yīng)關(guān)注 MOS 管的閾值電壓、最大漏極電流等參數(shù)，以確保其在運行環(huán)境中的穩(wěn)定性。
優(yōu)化 MOS 管驅(qū)動電路設(shè)計
保證驅(qū)動電流充足且響應(yīng)速度快，在開關(guān) MOS 管時，寄生電容能夠快速充放電，防止柵極電壓波動過大，從而抑制峰值電壓。
綜上所述，MOS 管的峰值電壓問題是高頻電路中常見且嚴(yán)重的現(xiàn)象。若處理不當(dāng)，可能會帶來較大的負(fù)面影響。通過采用優(yōu)化電路布局、軟開關(guān)技術(shù)、峰值電壓吸收電路等保護(hù)措施，并結(jié)合實際應(yīng)用場景分析峰值電壓的原因，可以有效抑制其帶來的問題。隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，峰值電壓保護(hù)技術(shù)也在不斷進(jìn)步。更高效的 MOS 管、更先進(jìn)的半導(dǎo)體材料和智能驅(qū)動設(shè)計，為電路峰值電壓抑制提供了更全面的解決方案，有助于保障電子設(shè)備的穩(wěn)定運行和可靠性能。
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