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        6. 傳輸門符號,工作原理,作用與傳輸門電路圖介紹
          • 發(fā)布時間:2025-05-17 15:26:52
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          傳輸門符號,工作原理,作用與傳輸門電路圖介紹
          一、架構(gòu)總覽
          CMOS傳輸門,作為一種高效的模擬開關(guān),用于傳輸模擬信號,由一個PMOS和一個NMOS管并聯(lián)構(gòu)成。其獨特的構(gòu)造使其在電子電路中扮演著關(guān)鍵角色。
          二、工作原理詳解
          (一)基本構(gòu)造與偏置
          TP和TN是結(jié)構(gòu)對稱的器件,漏極和源極可互換。假設(shè)開啟電壓|VT|為2V,輸入模擬信號范圍在-5V到+5V之間。為確保襯底與漏源極間的PN結(jié)任何時候都不正偏,TP的襯底接+5V,TN的襯底接-5V。兩管柵極由互補信號電壓(+5V和-5V)控制,分別標(biāo)記為C和!C。
          (二)工作狀態(tài)分析
          斷開狀態(tài) :當(dāng)C端接低電壓-5V時,TN柵壓為-5V,無論vI在-5V到+5V范圍內(nèi)取何值,TN均不導(dǎo)通。同時,TP柵壓為+5V,TP也不導(dǎo)通。此時,開關(guān)斷開。
          導(dǎo)通狀態(tài) :當(dāng)C端接高電壓+5V時,TN柵壓為+5V,若vI在-5V到+3V范圍內(nèi),TN導(dǎo)通。同時,TP柵壓為-5V,當(dāng)vI在-3V到+5V范圍內(nèi),TP導(dǎo)通。進一步分析表明:
          當(dāng)vI < +3V時,僅TN導(dǎo)通。
          當(dāng)vI > -3V時,僅TP導(dǎo)通。
          當(dāng)vI在-3V到+3V之間時,TN和TP均導(dǎo)通。
          此時,一管導(dǎo)通程度越深,另一管導(dǎo)通程度相應(yīng)減小。由于兩管并聯(lián),開關(guān)導(dǎo)通電阻近似為常數(shù),這是CMOS傳輸門的優(yōu)勢。正常工作時,模擬開關(guān)導(dǎo)通電阻約為數(shù)百歐,與輸入阻抗為兆歐級的運放串接時,可忽略不計。
          三、電路圖及雙向特性
          傳輸門符號,工作原理,作用,傳輸門電路圖
          傳輸門符號,工作原理,作用,傳輸門電路圖
          傳輸門或模擬開關(guān)是一種電子元件,由pMOS和nMOS晶體管組成,控制柵極以互補方式偏置,使兩個晶體管要么同時打開,要么同時關(guān)閉。
          當(dāng)節(jié)點A為邏輯1時,互補邏輯0施加于節(jié)點/A,允許兩個晶體管在IN到OUT之間傳導(dǎo)信號。當(dāng)節(jié)點/A為邏輯0時,互補邏輯1施加到節(jié)點A,關(guān)閉兩個晶體管,在IN和OUT節(jié)點上形成高阻抗條件。
          原理圖中的IN和OUT標(biāo)簽是任意的,因為反轉(zhuǎn)后電路仍能正常工作,這種設(shè)計提供了真正的雙向連接,不會降低輸入信號。
          四、用途與應(yīng)用
          傳輸門通常用作邏輯電路的構(gòu)建模塊,例如D鎖存器或D觸發(fā)器。作為獨立電路,傳輸門可以在熱插入或拔出期間將一個或多個組件與實時信號隔離。在安全應(yīng)用中,它們可以有選擇地阻止關(guān)鍵信號或數(shù)據(jù)傳輸。
          例如,在圖3中,傳輸門用于隔離微處理器和存儲器組件之間的I/O總線,以防存儲器被移除。SRAM安裝在可移動存儲卡上,DS3690傳輸門用于隔離通過連接器路由的各種信號。SRAM的接地連接通過連接器反饋,以下拉DS3690芯片使能(/CE)引腳,在安裝存儲卡時啟用傳輸門。
          傳輸門符號,工作原理,作用,傳輸門電路圖
          CMOS傳輸門憑借其獨特的架構(gòu)和工作原理,在電子電路中發(fā)揮著重要作用,其應(yīng)用范圍廣泛,為電路設(shè)計提供了靈活性和高效性。
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